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1 天前 4月 23, 2024. 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割 材料损
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2022年12月1日 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺. 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使
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2022年12月15日 由于碳化硅具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体材料，被
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2023年2月1日 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材 料（Si），碳化硅（SiC）的
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2023年2月15日 摘要. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新
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2023年2月26日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使
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2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。 常用
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2024年2月18日 目前，碳化硅外延工艺主要有化学气相沉积（CVD）、液相外延生长（LPE）和分子束外延生长（MBE）。. 其中，CVD是目前工业中应用最为广泛和成熟的方法。. 目前，市场主要被德国的AIXTRON SE、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare四大厂商占据。. 然而，受限于产能因素 ...
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2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生
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2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。. 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且
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2023年12月8日 在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。. 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。. 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行
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2023年11月12日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化
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2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
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2023年2月15日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展. 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应
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2024年4月3日 发布于：北京市. 原标题：开发碳化硅材料深刻蚀工艺，「中锃半导体」完成数千万元天使轮融资丨36氪首发. 作者丨邱晓芬. 编辑丨苏建勋. 36 氪获悉，中锃半导体（深圳）有限公司（下称「中锃半导体」）完成数千万元人民币天使轮融资。. 本轮融资由国科 ...
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2023年7月14日 1 )半导体大硅片设备:8+12 寸产品线全面布局,逐步实现国产化突破。. 公司在晶体生长、切片、抛光、CVD 等环节已实现8 英寸设备全覆盖,12英寸长晶、切片、研磨、抛光等设备已实现批量销售,设备性能达到国际先进水平。. 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化
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2022年9月8日 目前，碳化硅单晶的生长一般采用PVT法工艺。由于碳化硅单晶生长的最终目的是为了获取大尺寸、低缺陷的碳化硅单晶，随着碳化硅单晶的尺寸增大，对单晶炉内的真空压力控制要求极高，工艺气体的压力变化对SiC晶体的生长速度和晶体质量产生极大影响。
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2023年12月4日 碳化硅外延工艺及外延设备. 第三代半导体媒体人 2023-12-04 19:22 江苏. 在晶体生长和晶片加工过程中，会不可避免地在表面或近表面引入缺陷，导致衬底的体材料质量和表面质量都不够好，直接用其制得器件的性能较差。. 外延层的生长可以消除许多缺
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2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
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1 天前 4月 23, 2024. 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。. 来源：南京大学官网. SiC不仅是关系国防安全的的重要 ...
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2023年2月27日 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围. 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。. 根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其
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2021年12月24日 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺 第二个应用是中低压输配电，为了提高效率，需要利用SiC器件实现中低压输电，一般采用MMC结构。
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2023年4月28日 该工艺加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达到0.1nm以内。常用来检测精抛后碳化硅衬底片划伤的设备是Candela 8520 。化学机械抛光是通过化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现工件表面材料去除及平坦化的过程。晶片在抛光液的作用下发生化学氧化 ...
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碳化硅部件（CVD-SiC）. 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品. 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。. 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的 ...
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2023年8月19日 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在1.5-2年以上。
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碳化硅粉生产工艺-3. 研磨烧结后的产物需要经过研磨处理，以获得所需的碳化硅粉。研磨的目的是获得细小且均匀的颗粒。研磨过程中可以加入一些润滑剂和分散剂，以提高研磨效率。设备选型选择合适的设备对于碳化硅粉的生产工艺至关重要。
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2023年4月25日 2. 国内外碳化硅装备发展状况. 2.1 SiC单晶生长设备. SiC单晶生长主要有物理气相运输法、高温化学气相沉积法和溶液转移法 [6]，如图2所示。. 目前产业上主要以PVT方法为主，相比传统溶液提拉法，SiC由于Si的溶解度在液体中有限，不再能够很轻松的长晶。. 采用PVT ...
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